浅谈功率电子器件的用途及应用,器件校准。

功率电子器件可分为不控器件、半控器件、全控器件。
其用场及运用作以下简明扼要的先容。

1、不控器件

不能通过掌握旗子暗记掌握其通断的电力电子器件。
范例器件如二极管，紧张运用于低频整流电路。

2、半控器件

通过掌握旗子暗记可以掌握其导通而不能掌握其关断的电力电子器件。
范例器件如晶闸管，又称可控硅，广泛运用于可控整流、互换调压、无触点电子开关、逆变及变频等电路中，运用处景多为低频。

3、全控器件

通过掌握旗子暗记既可掌握导通，又可掌握其关断的电力电子器件。
范例器件如GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极性晶体管），运用领域最广，广泛运用于工业、汽车、轨道牵引、家电等各个领域。

关于以上这几种全控器件，个中GTO是晶闸管的派生器件，紧张运用在兆瓦级以上的大功率场合。

GTR属于电流掌握功率器件，且电路符号和普通的三极管同等。
20世纪80年代以来在中小功率范围内逐渐取代GTO。
GTR特点光鲜，耐高压、大电流、饱和压降落是其紧张优点，但是缺陷也很明显，如驱动电流较大、耐浪涌电流能力差、易受二次击穿而破坏，驱动电流大直接决定其不适宜高频领域的运用。

MOSFET与GTR最为显著的差异便是电场掌握。
其特性是输入阻抗大、驱动功率小、开关速率快、事情频率高，那MOS是不是完美填补了GTR的毛病？能不能完备替代GTR呢？答案当然是不能。
MOS范例参数是导通阻抗，直不雅观理解为耐压做的越大，芯片越厚，导通电阻越大，电流能力就会降落，因此不能兼顾高压和大电流就成了MOS的短板。

接下来就要特殊讲讲IGBT了。
IGBT因此双极型晶体管为主导元件,以MOS为驱动元件的达林顿构造。
其特点是不仅损耗小、耐高压、电流密度大、通态电压低、安全事情区域宽、耐冲击，而且开关频率高、易并联、所需驱动功率小、驱动电路大略、输入阻抗大、热稳定性好。
IGBT的运用领域正迅速扩大，逐步取代GTR、MOSFET的市场。

以上便是

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