1） P型PERC电池的光衰明显高于常规BSF电池，因此须要进行“再生”处理；
2）单晶PERC电池的光衰以“B-O”光衰为主，事理上可通过光注入、电注入及掺Ga来办理，但对制造商技能水平提出更高哀求，投资者需选择可靠供应商。
3）多晶PERC电池的光衰机理繁芜，也会发生“再生”过程但耗时良久，家当化须要利用高品质硅片并加强电池的出厂光衰管控。
一、晶硅组件的光衰的缘故原由
硼(B)掺杂的P型单晶硅(Cz-直拉法)电池的光衰征象早在1973年已创造，该光衰之后被创造可一定程度规复的。
Jan Schmidt创造了该光衰紧张是“B-O对”引起的并给出了该毛病的构造(2003)。Axel Herguth提出了“再生态”理论阐明初始光衰后功率规复并保持稳定的事理(2006)。
P型多晶硅电池的衰减则因氧含量相对少而规复过程不明显，该衰减被认为不仅与B-O对干系，同时也与金属杂质干系。
B-O引起的光衰经由一段韶光的光照可有一定程度的规复，如P型单晶硅组件在最初户外运行的2~3个月，会经历较明显的衰减与部分规复过程，商业化产品首年的衰减可保持在3%以内，P型多晶组件的首年衰减则一样平常按£2.5%来质保，电池均无需经由“再生”处理。
二、PERC组件的光衰处理
P型PERC技能对晶硅电池背面做钝化，电子须要扩散更长的间隔经由激光开槽处才能传输到背面的铝电极，因此毛病与杂质会引起更加明显的光衰。
如下图所示，P型单晶PERC电池的光衰均高于常规单晶，P型多晶PERC电池的光衰也高于常规多晶，单晶PERC电池光衰达到3%后开始规复，多晶PERC电池在约40小光阴衰快速达到约3%后连续衰减至5.5%以上，铸造单晶在400小时内也并未发生光衰规复。
因此，PERC电池须要经由“再生”处理，如下图所示，在130摄氏度1.2suns光照1小时的再生处理并稳定后，单晶PERC电池效率可规复初始值的99.5%。2014年起单晶PERC技能开始规模运用的缘故原由便是：
1）创造了具有很好钝化效果的AlOx，
2）通过家当化的“再生”处理可以对单晶PERC电池的光衰有效掌握。
研究职员也创造光致衰减实际上是载流子(Carrier)引起的光衰，LID也就可以称之为CID，高剂量光照或高电流注入均可以加速“再生”过程，生产出“B-O光衰”基本被肃清的PERC电池。
值得指出的是：常规单晶电池如经由再生处理后的光衰表现略优于单晶PERC电池，很可能是 “B-O光衰”光衰被基本肃清后杂质引起的光衰所起的浸染，以是制造单晶PERC电池有必要把稳硅片的杂质含量。
UNSW(新南威尔士大学)认为(光致)再生过程的机理在于匆匆使P型硅中存在的H+转化为H0，H0可以钝化BO+毛病乃至金属离子如Fei+、Cri+，商业化的光致再生设备因须要高生产速率，因此须要利用到高强度的光照(如激光)以在几秒钟内完成再生过程。如下报告列举了5家供应光致再生(LIR，Light induecdregeneration)设备的企业，其设备均有很好的处理效果。
海内的晶宝、时创、昊建等均开拓了电注入(电致再生)设备，不同于光注入设备须要在电池端与在线生产，电注入设备可以离线支配在电池端或组件端，多个电池片堆叠通电处理，在制造端也得到了大规模的运用。
其余，掺Ga的P型硅与掺磷的N型硅则可以根本上杜绝了“B-O”衰减，也可以办理单晶PERC技能的光衰风险。因此单晶PERC技能规模运用在理论上不存在问题，却对硅片品质与电池技能提出了更高的哀求，光伏电站投资者须要选择技能可靠的供应商以避免风险。
三、多晶PERC光衰与LeTID
根据以下2012年的 研究，低氧与掺Ga均无法办理多晶PERC电池的光衰问题，并展示了不同温度下测试光衰的差别，75oC下的光衰明显高于25oC的结果，而75oC是组件户外事情时可能涌现的温度。
因此，Q-Cells在15年命名的LeTID(Light and elevated TemperatureInduced Degradation，光与升温导致的衰减)并不是一个新的观点，不少文献还是坚持利用LID in mc-silicon(多晶光衰)来描述同一征象。Q-Cells创造多晶PERC电池的开路电压衰减在95oC高载流子注入的情形下在800小时后规复至约99%，表明了多晶PERC电池再生态处理理论上的可行性，但由于耗时非常久，家当化付出的本钱就会很高。
多晶PERC电池在暗退火处理(如150oC，10小时)时可发生类似的衰减行为，研究者认为该过程与LeTID有相同的机理，因此可以通过研究暗退火过程以确定LeTID的根本事理。
UNSW创造P型Cz单晶硅、Fz单晶硅以及N型硅在暗退火后也会发生衰减(考虑到暗退火条件并不见于户外运用，没有必要因此担心单晶PERC技能的家当运用)。UNSW创造了LeTID与氢的干系性；M. A. Jensen认为LeTID是氢与硅片中的一种和几种毛病共同浸染导致的(Evaluating root cause: The distinct roles of hydrogen and firing inactivating light and elevated temperature-induced degradation，2018)；Kenta Nakayashiki认为根本缘故原由可能是两个：
1）氢和深能级檀越毛病共同形成的点毛病；
2）含Cu复合毛病的构型变革(Engineering Solutions andRoot-Cause Analysis for Light-Induced Degradation in p-Type MulticrystallineSilicon PERC Modules, 2016)；Mallory A. Jensen则创造杂质元素Cu和Ni在LeTID过程中起着关键浸染(Solubility and Diffusivity: Important Metrics in the Searchfor the Root Cause of Light and Elevated Temperature-Induced Degradation, 2018)
总之，多晶PERC的LID(或称LeTID)的根本缘故原由仍没有定论，考虑到各研究者都有实验依据，光衰很可能是多种成分共同浸染导致的。对付家当化的办理上，多晶PERC生产商须要做的包括严控多晶硅片质量(采取高品质硅料)，永劫光‘再生’处理以及严控电池出厂光衰测试(75oC测试，提高抽测频次)。考虑到18年下半年多晶硅片处于亏本发卖的情形，差的硅料、回料很可能被用到，质量相对较差的硅片制成的多晶PERC组件在系统中存在较高的潜在风险。
目前晶硅电池LeTID的测试标准正在谈论中，对付多晶PERC的光衰管控只有出厂测试才故意义，仅仅看第三方的送样测试结果的参考代价不大，一方面多晶硅片来自铸锭不同位置，硅片内部毛病的情形有不同；另一方面单片电池/组件是可以通过分外处理做到低光衰的。
四、总结
A. P型PERC电池的光衰明显高于常规BSF电池，因此须要进行“再生”处理；
B. 单晶PERC电池的光衰以“B-O”光衰为主，事理上可通过光注入、电注入及掺Ga来办理，但对制造商技能水平提出更高哀求，投资者需选择可靠供应商。
C. 多晶PERC电池的光衰机理繁芜，也会发生“再生”过程但耗时良久，家当化须要利用高品质硅片并加强电池的出厂光衰管控。
（解释：本文为读者投稿，不代表本头条号不雅观点）
