杨跃胜 武岳山
（深圳市了望谷信息技能株式会社 西北大学 信息科学与技能学院）
摘 要：
为了提高Wafer加工工艺质量，推动芯片家当化的目的，理论上比拟了UV膜和蓝膜的特性，实践等分别利用UV膜和蓝膜加工Wafer并做倒封装摘片实验，得出小芯片减薄划切时运用UV膜对倒封装生产线具有优胜性，可以提高芯片摘取效率，可以防止崩片。同时结合实验，得到UV膜在运用中涌现的一些问题，并给出办理办法，终极测试结果符合预期的结果。
0 引 言
物联网是基于互联网、RFID、传感器等技能和EPC等协议标准而形成无物不联的工程。物联网数据采集的前端须要大量电子标签通过阅读器无线读取干系数据，进而通过互联网传输至数据处理中央，而电子标签由标签天线和标签芯片组成，因此物联网的发展离不开芯片的家当化发展。芯片家当化是一个浩大的工程，每一个环节涌现问题都会影响家当化过程的推进，尤其在芯片减薄划切至蓝膜加框的过程中，如果利用的粘性膜不当，将影响后端倒封装生产工艺的正常进行，本文紧张先容芯片在减薄、划片过程中所利用的UV膜和蓝膜的主要性，分别剖析UV膜和蓝膜的特性，并通过现场试验的办法，阐述利用UV膜和蓝膜对芯片减薄划切和后生产制造环节的影响。
1 UV膜和蓝膜的主要性
Wafer在减薄之前，会在Wafer的正面贴一层粘性膜，该层膜的浸染是在Wafer正面固定芯片，便于磨片机在Wafer的背面研磨硅片。一样平常研磨之前硅片的厚度在700 μm旁边，研磨之后，Wafer的厚度变为200 μm，乃至达到120 μm的程度，详细将视客户哀求和芯片的运用环境情形而定，即Wafer减薄过程。Wafer在划片之前，会将Wafer的背面粘一层膜，该层膜的浸染是将芯片粘在膜上，可以保持晶粒在切割过程中的完全，减少切割过程中所产生的崩碎，确保晶粒在正常传送过程中不会有位移和掉落的情形，即芯片后封测环节中的划切过程。
如上所述，芯片减薄划切过程中都用到了一种用于固定Wafer和固定芯片浸染的膜。实际生产过程中，该种膜一样平常利用UV膜或蓝膜。UV膜和蓝膜在芯片减薄划切过程中具有非常主要的浸染，但两者特性有明显的差异。
2 UV膜和蓝膜的特性
UV膜和蓝膜均具有粘性，其粘性程度利用粘性剥离度来表示，常日单位利用N/20 mm或者N/25 mm，例如1 N/20 mm的意义是测试条宽度为20 mm，用180°的剥离角度从测试版年夜将其剥离的力是1 N。UV膜是将分外配方的涂料涂布于PET薄膜基材表面，达到阻隔紫外光及短波长可见光的效果，图1所示为通用的UV膜构造图。一样平常UV膜由3层构成，其基层材质为聚乙烯氯化物，粘性层在中间，与粘性层相邻的为覆层（Release film），部分UV膜型号没有该覆层。
UV膜常日叫紫外线照射胶带，价格相对较高，未利用时有效期较短，它分为高粘性、中粘性和低粘性三种，对付高粘性的UV膜而言，其未经由紫外线照射时粘性很大，粘性剥离度大约在 5 000 m N/20 m m 到12 000 mN/20 mm旁边，但是在紫外线灯光照射的韶光延长和照射强度增加之后，剥离粘性度会降到1 000 mN/20 mm以下；对付低粘性的UV膜而言，未经由UV照射时，其剥离粘性度在1 000 mN/20 mm旁边，而经由紫外线照射之后，其剥离粘性度会降到 100 mN/20 mm 旁边；中粘性的UV膜的粘性剥离度介于高粘性UV膜和低粘性UV膜之间。低粘性的UV膜在通过一定韶光和一定强度的紫外线照射后，只管其粘性剥离度会降到100 mN/20 mm 旁边，但在Wafer的表面不会有残胶征象，晶粒随意马虎取下；同时，UV膜具有适当的扩展性，在减薄划片的过程中，水不会渗入晶粒和胶带之间。蓝膜常日叫电子级胶带，价格较低，它是一种蓝色的粘性度不变的膜，相对付未经由紫外线照射的高粘性UV膜，其粘性剥离度一样平常较低，对紫外线并不敏感，在（1 000 ~3 000）mN/20 mm间不等，而且受温度影响会发生残胶；最早命名是由于该胶带为蓝色，现在随着技能的发展，也陆续涌现了其他的颜色，而且用场也得到拓宽。UV膜和蓝膜比较，UV膜较蓝膜稳定。UV膜无论在紫外线照射之前还是照射之后，UV膜的粘性度都比较稳定，但本钱较高；蓝膜成本相比拟较便宜，但是粘性度会随着温度的变革而发生变革，而且随意马虎残胶。
3 UV膜和蓝膜在生产中的运用剖析
常日来说，对付小芯片减薄划片时利用UV膜，对付大芯片减薄划片时利用蓝膜，由于，UV膜的粘性可以利用紫外线的照射韶光和强度来掌握，防止芯片在抓取的过程中漏抓或者抓崩。若芯片在减薄划切之后，直接上倒封装标签生产线，那么最好利用UV膜，由于倒封装标签生产线所利用的芯片一样平常均较小，而且设备顶针在蓝膜底部将芯片顶起，如果利用较大粘性剥离度的蓝膜，可能使得顶针在顶起芯片过程中将芯片顶碎。RFID芯片面积一样平常均小于750 μm×750 μm，蓝膜加框后的Wafer常日直接进行倒封装为Inlay或者标签，因此RFID芯片在后封测时常日利用UV膜。
蓝膜由于其受温度影响粘性度会发生变革，而且本身粘性度较大，因此，一样平常面积较大的芯片或者Wafer剪薄划切之后直接进行后封装工艺，而非直接进行倒封装工艺做Inlay时，可以考虑利用蓝膜 [7] 。现阶段，针对芯片尺寸小于1 mm的芯片，常日利用型号为D⁃184的低粘性UV膜。该UV膜仅仅有基层和粘性层，没有覆层，其基层为PVC材料，厚度为80 μm，粘性层为丙烯酸树脂漆（Acrylic），其厚度为10 μm，未经由紫外线照射之前的粘性剥离度为1 100 mN/25 mm，经由UV照射之后，粘性剥离度为70 mN/25 mm，因此其粘性范围可以在（70~1 100）mN/25 mm内调度。该型号的UV膜具有一些特点：其一，该型号的UV膜，在硅片表面利用剥离角度为180°进行剥离时，其速率可以达到300 mN/25 mm；其二，该UV膜规定了自己的照射条件，紫外线照射密度为230m W /cm2 ，紫外线照射功率为190 mJ/cm 2 ；其三，辐射的紫外线波长应在365 nm旁边。该UV膜实际利用时可能涌现了一些问题，即在倒封装生产线上涌现了芯片漏抓的情形，紧张是由于紫外线设备的功率没有达到指定的哀求，因此，在照射过程中，须要延长照射韶光，来补充照射强度不足的问题。如果碰着UV灯功率（能量）不敷时，建议：其一，擦净UV灯管和灯罩，改进UV光的反射效果；其二，UV灯老化应改换，瑞森特UV灯利用寿命1 500 h就该当改换；其三，提高UV灯管单位长度内的功率，担保达到 80~120 W/cm；其四，紫外线灯管利用一段韶光后，灯管应旋转 1 4 再用。采取D⁃184型UV膜实践加工了多片Wafer，当照射韶光掌握在40~45 s时，后端倒封装工艺进行非常顺利，若小于规定的韶光，则会涌现漏摘乃至崩碎的芯片，因此根据UV膜的特性，调度得当的粘性度，能够提高芯片家当化效率。
4 结 语
UV膜与蓝膜比较，它的粘性剥离度可变性使得其优胜性很大，紧张浸染为：用于 Wafer 减薄过程中对Wafer进行固定；Wafer划切过程中，用于保护芯片，防止其脱落或崩片；用于Wafer的翻转和运输，防止已经划切之后的芯片发生脱落。规范利用UV膜和蓝膜的各个参数，根据芯片所须要加工的工艺，选择得当的UV膜或者蓝膜，既可以节省本钱，亦可以加快推进芯片家当化。
