北京中电科公司是国家科技部02专项、863操持、重点研发操持等多个重点项目的承担单位，目前拥有核心发明专利60余项，取得科技成果10项，个中国际领先水平1项，国际前辈水平9项。
公司核心产品先容
WG-1261全自动减薄机
运用产品：
适用于6-8英寸SiC晶片及晶圆量产的全自动减薄机
产品参数：
1、磨轮直径：Φ300mm；
2、磨削主轴：数量2个，额定功率7.5kW，转速1000-4000rpm；
3、Z轴分辨率：0.1μm
4、最高减薄速率：0.9μm/s；
5、单片磨削韶光：＜5分钟；
6、加工精度：TTV≤2μm;WTW≤士2μm（SiC晶片）；Ra≤3nm（#30000 Wheel，SiC）
7、最大可加工厚度：1800μm
性能解释：
可实现 6、8 英寸 SiC 衬底段的晶片减薄及芯片段的晶圆背减。配置高功率高扭矩主轴，可实现高效率、高精度、无损伤镜面加工。双主轴三工位设计担保加工效率，配有实时在线丈量单元（丈量范围 0-1800μm），精确掌握减薄厚度；具备 SECS/GEM 联网功能。配置 SMIF（选配），保持高清洁度的同时进行稳定减薄磨削。
WG-1250自动减薄机
运用产品：
适用于6-8英寸SiC晶锭和晶片量产的自动减薄机
产品参数：
1、磨轮直径：Φ300mm；
2、磨削主轴：数量2个，额定功率7.5kW，转速1000-4000rpm；
3、Z轴分辨率：0.1μm
4、最高减薄速率：0.9μm/s；
5、单片磨削韶光：＜5分钟；
6、加工精度：TTV≤2μm;WTW≤士2μm；Ra≤3nm（#30000 Wheel，SiC）
性能解释：
聚焦6、8 英寸 SiC激光剥离晶锭/晶片及砂浆线切割晶片的薄化磨削，可实现不同厚度晶锭/晶片同台同时加工。可加工标准6/8寸晶锭/晶片、带框架的异形片及非标准的4/6/8寸SiC晶片。根据晶锭/晶片的厚度，实时在线丈量（丈量范围0-1800μm）/ 大量程在线丈量（丈量范围 0-50000μm）两种办法可选；设备通过手动进行装卸片操作并利用油石手动洗濯承片台。
双主轴三工位设计，粗精两次磨削同工位完成，减少取放片次数，有效担保单片晶片/晶锭内的厚度偏差和良品率。
WG-1230自动减薄机
运用产品：
适用于6-8英寸SiC晶锭、晶片及晶圆量产的可定制化的多功能自动减薄机
产品参数：
1、磨轮直径：Φ300mm；
2、磨削主轴：数量1个，额定功率7.5kW，转速1000-4000rpm；
3、Z轴分辨率：0.1μm
4、最高减薄速率：0.9μm/s；
5、单片磨削韶光：＜5分钟；
6、加工精度：TTV≤2μm;WTW≤士2μm（SiC晶片）；Ra≤3nm（#30000 Wheel，SiC）
7、最大可加工厚度：50mm
性能解释：
大略紧凑型可定制化的多功能自动减薄机，可实现 6、8 英寸 SiC 衬底段晶锭、晶片的减薄及芯片段晶圆背减。可加工SiC晶锭/晶片/晶圆、带框架的异形片及非标准的4/6/8寸SiC晶片。根据晶锭/晶片/晶圆厚度，实时在线丈量（丈量范围0-1800μm）/ 大量程在线丈量（丈量范围 0-50000μm）两种办法可选；设备通过手动进行装卸片操作并利用油石手动洗濯承片台。
单主轴单工位设计，构造紧凑，占地空间小，适用于小批量生产。
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