该公司得到的专利及名誉展示墙。
科研职员在生产车间劳碌。
北京科华微电子材料有限公司（以下简称“科华微电子”）创立于2004年，是集光刻胶研发、生产、检测、发卖于一体的中外合伙企业，也是一家拥有高档光刻胶自主研发及生产能力的国家级高新技能企业。深耕光刻胶国产替代领域十九年的北京科华微电子材料有限公司，目前已建成G/I线光刻胶产线、KrF光刻胶产线，产品运用领域涵盖集成电路、发光二极管、分立器件、前辈封装、微机电系统等，其生产的KrF光刻胶、I线光刻胶已经批量供应海内8英寸、12英寸芯片制造厂商。
在切片实验室内，科研职员通过电子显微镜不雅观察光刻胶切片成型情形。
光刻胶是一种图形转移介质，在生产芯片的过程中，光刻胶是涂覆在基片上的，常日经由曝光、显影、刻蚀等光刻工艺将电路图从掩膜板上转移到待加工的基片上。北京科华微电子材料有限公司总经理李冰向先容，随着曝光波长的缩短，光刻胶所能达到的极限分辨率不断提高，光刻得到的线路图案精密度更佳。公司研发的KrF光刻胶目前是海内能够量产的最前辈的光刻胶，极限分辨率可达到120纳米。
在2023中关村落论坛展览上，该公司带来的KrF深紫外负性光刻胶亮相顺义展区。据先容，它是一款运用于集成电路深沟槽工艺的负性KrF光刻胶。在深沟槽构造中，器件底部有细微构造，若采取传统的正性光刻胶，须要较大的曝光能量将底部细微构造中的光刻胶充分曝光，使之在显影液中有较大的溶解速率，但是较大的曝光能量会影响正学图形的线宽，而且平面上的光刻胶与沟槽中的光刻胶存在焦深差异，很难同时曝光。该款产品溶解速率快、感光速率快，能够达到无光刻胶残留的效果。
“KrF负性光刻胶目前紧张被美国公司垄断。我们在北京市科委果支持下，做了KrF负性光刻胶研发项目，然后将项目成果成功转化为真正的产品，目前已实现量产，替代了入口。”李冰说。
北京科华微电子材料有限公司产品展示。
面对光刻胶国产替代这个主要领域，科华微电子将连续发力，建立多元化的产品体系。“我们正在重点开拓关键层用的KrF光刻胶，它的海内市场比较大，但目前是100%入口，我们想把这一块做起来。我们也在攻关下一代光刻胶——ArF光刻胶，包括前辈封装的光刻胶也是我们开拓的重点项目之一。”李冰表示。
