1200V 13.5mΩ瞻芯电子第三代碳化硅量产

瞻芯电子的第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET，现有3款产品：IV3Q12013T4Z，IV3Q12013BA，IV3Q12013BD，紧张用于车载主驱。

比较于第二代工艺，第三代元胞的Pitch缩小了超过20%。
在核心指标方面，，第三代产品在担保器件的耐压和短路能力的条件下，将比导通电阻Rsp降落至2.5mΩcm²，达到国际第一梯队的水平。
第三代产品的开关损耗比第二代降落30%以上。
此外，导通电阻Rds(on)的温度系数也明显降落，当Vgs=15V运用时，175°C时的Rds(on)比拟25°C时的Rds(on)只有1.42倍；当Vgs=18V运用时，175°C时的Rds(on)比拟25°C时的Rds(on)只有1.65倍。

在可靠性方面，首款产品IV3Q12013T4Z不仅按照AEC-Q101标准完成了三批次可靠性认证，得到车规级可靠性认证证书，而且通过了更严格的Beyond-AECQ可靠性考察，包括动态可靠性（D-HTRB，D-H3TRB，AC-BTI)，栅极负偏压下的HTRB等。

瞻芯电子成立于2017年，公司定位碳化硅IDM公司，包括晶圆和功率模块产品以及驱动和电源管理类仿照芯片产品。

来源：NE时期半导体

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