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美国麻省理工学院发明了一种铁电材料制成的晶体管，可能会彻底改变电子学，并在未来一二十年改变天下，这项研究已揭橥在6月6日《科学》杂志上。
这项根本技能的重大打破，大略来说便是科学家们利用单层石墨烯作为沟道层，和超薄的铁电体双层氮化硼结合制成铁电场效应晶体管，当施加电场时，各层会相互微微滑动导致硼和氮原子位置发生改变，从而极大地改变了材料的电子特性。
这种场效应晶体管具有三大令人印象深刻的性能上风：
（图片来自网络侵删）
能够以纳秒级速率在正负电荷（即0和1）之间切换，有利于高性能打算和数据处理。
耐久性极强，经由1000亿次开关后仍旧没有任何退化迹象，远远超过传统的闪存设备。
晶体管构造超薄（厚度仅为十亿分之一米），为制造更密集的打算机内存和提高能效奠定了根本。
超快速率、超强构造、超小尺寸，研究职员认为这是根本电子学领域一项潜力无限的创新技能，将在未来一二十年彻底改变天下。
不过研究职员也承认，这项研究还处于早期阶段，制造过程极为繁芜，还不适用于大规模生产，目前只制造出了单个晶体管作为演示。
他们还在研究用光脉冲等办法来触发铁电性，并测试这种开关的最终极限，同时探索批量制造的方法，希望能在晶圆级规模上进行制造，从而大规模运用于未来的电子产品。
参与这项研究的还有康奈尔大学、哈佛大学、日本国家材料科学研究所。
参考：Ultrafast high-endurance memory based on sliding ferroelectrics
