哪种存储器存储数据最好
硬盘的储存数据最好！
大容量，并能永久保存数据的存储器叫做“硬盘”。
硬盘是电脑主要的存储媒介之一，由一个或者多个铝制或者玻璃制的碟片组成。碟片外覆盖有铁磁性材料。
硬盘有固态硬盘（SSD 盘，新式硬盘）、机械硬盘（HDD 传统硬盘）、混合硬盘（HHD 一块基于传统机械硬盘诞生出来的新硬盘）。SSD采用闪存颗粒来存储，HDD采用磁性碟片来存储，混合硬盘(HHD: Hybrid Hard Disk)是把磁性硬盘和闪存集成到一起的一种硬盘。绝大多数硬盘都是固定硬盘，被永久性地密封固定在硬盘驱动器中。
复旦大学研发什么新型存储技术
近日，复旦大学某团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件，开创了第三类存储技术，解决了国际半导体电荷存储技术中“写入速度”与“非易失性”难以兼得的难题。目前半导体电荷存储技术主要有两类，第一类是易失性存储，例如计算机的内存，可在几纳秒左右写入数据，但掉电后数据会立即消失；
第二类是非易失性存储，例如U盘，需要几微秒到几十微秒才能把数据保存下来，但在写入数据后无需额外能量可保存10年。新型电荷存储技术能够实现全新的第三类存储特性：写入速度比目前U盘快1万倍，数据刷新时间是内存技术的156倍，并且拥有卓越的调控性，可以实现按照数据有效时间需求设计存储器结构。
它既满足了10纳秒写入数据速度，又实现了按需定制（10秒—10年）的可调控数据准非易失特性；既可以在高速内存中极大降低存储功耗，还可以实现数据有效期截止后自然消失，为一些特殊应用场景解决了保密性和传输的矛盾。
这项研究创新性地选择了二硫化钼、二硒化钨、二硫化铪、氮化硼等多重二维材料堆叠构成了半浮栅结构晶体管，制成阶梯能谷结构的范德瓦尔斯异质结。
其中一部分如同一道可随手开关的门，电子易进难出；另一部分则像一面密不透风的墙，电子难以进出。
对“写入速度”与“非易失性”的调控，就在于这两部分的比例。
这一重要突破，从技术定义、结构模型到性能分析的全过程，均由复旦大学科研团队独立完成。
fra的优缺点
1、 FRA的优势：
FRA是一种新型存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点，与EEPROM、FLASH相比，FRA的读写更快、寿命更长，FRA已经应用于IC卡和MCU中，预计未来具有广阔的市场前景。FRA产品具有明显的高新技术特点，符合科创板属性，目前上市公司中尚没有从事该产品的开发。
2、FRA的缺点：
FRA的制造成本高，价格比EEPROM、FLASH更加昂贵，储存的空间更小。
什么是相变存储器
相变存储器是一种新型的非挥发性存储器技术，利用物质的相变特性实现数据的存储和读取。它基于相变材料，通过控制材料的相变状态（从晶体到非晶体或反之），实现数据的存储和擦除。
相变存储器具有高速度、高密度、低功耗和长寿命等优点，可以替代传统的闪存和DRAM等存储器技术，在计算机、移动设备和物联网等领域具有广泛应用前景。
相变存储器（Phase Change Memory，简称 PCM）是一种非易失性存储器技术，它利用材料的相变特性来存储数据。相变存储器的工作原理是通过改变材料内部的相态（如从晶体相变为玻璃相或从玻璃相变为晶体相）来记录和读取数据。这种存储技术具有高速度、低功耗和长寿命等优点，被认为是未来存储技术的一种重要发展方向。
相变存储器的主要组成部分是相变材料，通常采用锗、锑、碲等元素组成的合金。在写入数据时，通过加热或冷却相变材料，使其从晶体相变为玻璃相或从玻璃相变为晶体相，从而改变材料的电阻值。在读取数据时，通过检测材料的电阻值，判断其处于哪种相态，进而恢复出存储的数据。
尽管相变存储器在非易失性存储领域具有很大的潜力，但目前其应用还不够广泛，原因主要包括：单位存储密度成本较高，大容量的相变存储器产品尚未量产；耐写能力相对较弱，目前相变存储器的耐写能力约为 10^8～10^12 次。这些因素在一定程度上制约了相变存储器的应用和普及。
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