MOS管输入电阻很高为什么一碰着静电就弗成了？

输入电阻

指的是在栅源之间，当栅极电压变革时，源极电流的变革率。
MOS管的输入电阻常日很高，具有很高的绝缘性能，这意味着只有极小的泄电流利过栅极。
不过这种高电阻可以减小掌握电路的功耗，让它可以作为旗子暗记放大器的输入级以及开关利用。

静电击穿

由于静电的积累导致电压超过了原来MOS的绝缘能力，导致电流溘然增大的征象。

一样平常静电击穿有两种：

一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者是源极开路。

那么，回到问题本身，为什么MOS管的输入电阻很高，但是一碰着静电就弗成了？

MOS管的输入电阻很高，某种程度上也意味着它对输入旗子暗记的电流是非常敏感的。

我们知道MOS管是一个ESD敏感器件，由于本身的高输入电阻再加上栅-源极间的电容非常小，导致它极易受外界电磁场或静电的感应而带电，当静电或外界电磁场浸染于MOS管时，就会在极间电容上形成电荷，导致极间电容的电压升高。

由于输入电阻很高，这些电荷无法通过输入端得到很好地泄露，于是电压在极间电容上积累，可能会引起静电击穿乃至有破坏MOS管的风险。

上面我们有提到一个点，也便是MOS管的事情环境，在静电场较强的环境中，空气中的离子和电荷会较多，从而增大了增加静电的积累和放电的可能性，也就进一步增加了MOS管受到静电破坏的风险。

为了保护MOS管免受静电破坏，可以采纳以下方法：

3. 放置稳压二极管：在Vgs之间放置稳压二极管，受外部静电或或引起高压破坏的可能性。

此外，器件本身的性能也是十分主要的。
静电放电产生的短时大电流，其脉冲韶光常数远小于器件散热的韶光常数。
因此，当这样的电流利过面积较小的pn结或者肖特基结时，就会瞬间产生高功率密度，导致局部过热，乃至可能局部结温升高超过材料的原来的温度，导致结区局部或多处熔化，引发pn结短路，随后器件完备失落效。

这种失落效的发生与否，紧张取决于器件内部区域的功率密度，功率密度越小，器件越不随意马虎受损。
因此，选择功率密度小和防静电效果比较好的优质MOS管器件更有利于防止击穿的风险。

在这里我们推举微碧VBsemi的MOS管,它能更好地防止器件运用时碰着的静电击穿问题，有效减少器件破坏的风险。

微碧VBsmei的MOS管优点：