三星正在积极推进第五代HBM3e：传输速度比海力士更快高达1.228 TB/s

据BusinessKorea称，同样作为存储大厂的三星也加快了第五代HBM3e“Shinebolt”的开拓与发卖进度，估量将紧随SK海力士之后。
经初步测试，“Shinebolt”的最大数据传输速率将比上一代有所提升，估量将达到1.228TB/s，比SK海力士的HBM3e（最大数据传输速率为1.15TB/s）更快，同时“Shinebolt”还采取了最新的12层垂直堆叠方案，能够在单个HBM3e封装上实现高达36GB的容量，而原型版本利用的8层堆叠方案仅实现了24GB的容量。
三星电子的HBM开拓和生产速率目前仍掉队于SK海力士，美光也已经向客户供应了性能相称的HBM3 Gen2的测试样品，不过三星电子正在制订计策，以夺回前辈存储芯片生产的领先地位。

HBM（High Bandwidth Memory）属于垂直连接多个DRAM，与DRAM比较显著提升数据处理速率的高附加值、高性能产品。
HBM DRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开拓，个中 HBM3E是HBM3的扩展（Extended）版本。
HBM被认为是人工智能时期的新一代DRAM。