CPU里的几十亿个晶体管的分工是怎样的
这个问题需要循序渐进，才能回答清楚，为便于理解，需要多上图片。
一颗高性能CPU，其内部的复杂程度堪比一座北上广深这样的一线城市。
如果说城市的基础建筑材料是砖头，和钢筋、水泥配合，建成高楼大厦，那么CPU也有基础构成元件，它就是晶体管。
当然，上图中的晶体管个子太大，CPU内的晶体管都是纳米级别，模样大不相同（运行原理完全一样），看起来像纱网格子（见下图）：
晶体管需要搭配电容、电阻等其它元件，才能完成“开”、“关”动作，对应计算机语言的“0”和“1”，这也是计算机只能读懂“0”和“1”的原因（现在的编程语言被称为高级语言，运行时都需要芯片中的编译器翻译成机器能读懂的0和1组成的语言），实际上所有的运算过程都是数以亿计的晶体管在不断重复“开”、“关”动作。所有的运算结果，不管是游戏的画面、电影特效还是计算器算买菜钱，都是晶体管不同开关动作组合的结果。
晶体管如何和电容搭配？我举DRAM（俗称电脑内存）为例，一个DRAM单元可以存储1比特数据，它由1个晶体管和两个电容组成。见下图。
CPU的内部结构要复杂一些，和DRAM的差别在于，DRAM的基本单元（DRAM CELL）结构都是一样的，这也是DRAM拼制造的原因；而CPU内的基本单元的结构并不一样，这样才能组成算术逻辑单元、寄存器、译码器、缓存等部件，最终组成一个CPU内核，由于内部线路复杂，所以CPU既拼制造，也拼设计，比DRAM难度上了一个大台阶。
现代CPU基本都是多核打天下，如下图的至强处理器有10个内核。
总之，不管CPU多么复杂，它其实都是晶体管和电容、电阻等纳米级的元件，经过复杂的设计组合，得到不同的部件（算术逻辑单元、寄存器等），再由部件组成CPU内核，多个CPU内核再组成CPU，封装后就成了我们看到的样子。见下图：
原创回答，搬运必究。
两种晶体管的区别
两者主要区别是名称不同，机构制程不同，工作原理不同
1、从名称上看，双极型晶体管全称为双极性结型晶体管，俗称三极管，而单极型晶体管叫做场景效应管，简称FET，有所区别。
2、从结构制程上看，双极型晶体管是由三部分掺杂程度不同的半导体制成，而单极型号晶体管的典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶半导体作为基区。
3、从工作原理上看，双极型晶体管有两种载流子参与导电，而单极型晶体管工作时候只有一种载流子
晶体管是一种半导体器件，常见的有两种类型：NPN型和PNP型。它们的区别在于电流流动的方向和控制方式。
NPN型晶体管中，电流从发射极流入基极，再从集电极流出；而PNP型晶体管中，电流从基极流入发射极，再从集电极流出。
此外，NPN型晶体管的基极电压高于发射极电压时，晶体管导通；而PNP型晶体管的基极电压低于发射极电压时，晶体管导通。这些区别使得NPN型和PNP型晶体管在电路设计和应用中有不同的用途和特点。
（1）纵向 PNP 管：
纵向 PNP 管也称衬底管，由于结构的关系，内部的载流子沿着纵向运动。这种管子的特点是，管子的基区宽度 WB 可以准确地控制，而且做得很薄。因此，纵向 PNP 管的β很大。超β管的β值在 2000 一 5000（α＝0.995-0.9998）。
是以 P 型衬底作为集电极，因此只有集成元器件之间采用 PN 结隔离槽的集成电路才能制作这种结构的管子。由于这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的垂直方向运动的，故称为纵向 PNP 管。这种管子的基区可准确地控制使其很薄，因此它的电流放大系数较大。由于纵向 PNP 管的集电极必须接到电路中电位的最低点，因而限制了它的应用。在电路中它通常作为射极跟随器使用。
（2）横向 PNP 管：
这种结构管子的载流子是沿着晶体管断面的水平方向运动的，故称为横向 PNP 管。由于受工艺限制，基区宽度不可能很小，所以它的值相对较低，一般为十几倍到二、三十倍。横向 PNP 管的优点是：
发射结和集电结都有较高的反向击穿电压，所以它的发射结允许施加较高的反压；另外它在电路中的连接方式不受任何限制，所以比纵向 PNP 管有更多的用途。它的缺点是结电容较大，特征频率 fT 较低，一般为几~几十兆赫。
手机晶体管数量是什么
手机晶体管的数量取决于手机的设计和功能。一般来说，一个智能手机中的晶体管数量可能在数十亿到数百亿之间。晶体管是电子设备中的基本元件，用于控制和放大电流。手机中的晶体管用于处理器、存储器、通信模块等各个部分。随着技术的进步，晶体管的集成度不断提高，使得手机能够实现更高的性能和更多的功能。因此，手机晶体管的数量会随着时间的推移而增加。
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