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半导系统编制造与封装的界线是什么？半导系统编制造与封装的目的不同，半导系统编制造（Front-end）的目标是产生具有繁芜电路图案的裸晶圆，须要在高度掌握的清洁室环境中进行，以防止尘埃影响眇小的电路构造。而封装（Back-End of Line）的目标则是保护裸芯片，增强芯片的物理强度和环境耐受性等。一样平常以晶圆减薄作为制造与封装的分界点，减薄后的晶圆由晶圆厂出货给封装厂，那么半导系统编制造真个工艺结束。不同芯片产品有哪些工艺差异？芯片是一个很宽泛的观点，是一个大类，因此细分为很多种类。一样平常可以分为逻辑芯片（CPU，GPU等），存储芯片（DRAM、NAND ，Flash等），仿照和稠浊旗子暗记芯片，功率器件，射频芯片，传感器芯片等。
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不同类型的芯片产品根据其运用和功能需求，采取不同的设计事理、制程标准和材料选择都不同。比如我们常说的5nm，7nm前辈芯片制程常日是用在逻辑芯片中，而对付射频芯片领域的SAW，BAW等则不以线宽作为考量成分。又比如存储芯片以12寸为主，但是第三代半导体由于SiC基板的限定，普遍采取的是4，6寸。半导系统编制造工艺分类？
光刻
包括涂胶，曝光，显影，烘烤等工艺。
干法
镀膜：包括PVD(物理气相沉积)，CVD（化学气相沉积），ALD（原子层沉积）。PVD又包括蒸发（Evaporation），溅射（Sputtering），脉冲激光沉积（PLD）等，CVD包括等离子体增强CVD（PECVD）,低压CVD（LPCVD）,金属有机CVD（MOCVD）,MPCVD，Laser CVD，APCVD，HT-CVD，UHV CVD等
干法刻蚀：干法刻蚀分为物理刻蚀，化学刻蚀，物理化学刻蚀。物理刻蚀包括离子束刻蚀（IBE）等，化学刻蚀包括等离子去胶机等，物理化学刻蚀包括ICP-RIE,CCP-RIE,ECR-RIE,DRIE等。
外延：分为液相外延（LPE），气相外延（VPE），分子束外延（MBE），化学束外延（CBE）等。
离子注入：包括高能离子注入，低能离子注入，高剂量离子注入，高通量离子注入，高质量分子离子注入（High Mass Molecular Ion Implantation）等。
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扩散：气体源扩散，液体源扩散，固体源扩散，预沉积扩散等
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退火：炉管退火，快速热退火，激光退火，等离子体退火等
湿法
湿法分为湿法刻蚀，洗濯，电镀，化学镀，cmp等常见的半导体工艺便是这些，如有兴趣的朋友可以阅读我的其他文章，深入理解半导体行业其它干系知识！
