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损耗下降84.5%!哈工大年夜学者提出大年夜幅降低永磁体涡流损耗的新方法

浙江亚厦装饰股份通讯 2025-02-04 0

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寇宝泉,哈尔滨工业大学教授,博士生导师,工学博士,IEEE会员,中国电工技能学会高等会员。
获2005年度教诲部技能发明一等奖1项,获2006年度国家技能发明二等奖1项,获第六届国际发明展览会银奖2项,获第十九届全国发明展览会银奖1项,获2014年度教诲部技能发明二等奖1项。
2008年入选教诲部“新世纪精良人才支持操持”。
致力于直线电机与平面电机系统技能、分布式能源发电及能量存储技能、磁悬浮及电磁推进技能的研究。
近年来获授权国家发明专利130余项。

本文针对传统的4极6槽双边对称长低级永磁直线同步电机,在担保电磁推力大小的情形下,提出了一种采取双边错位来降落永磁体涡流损耗的有效方法。
先容了电机的基本构造,阐明双边错位构造可以完备肃清偶数次电枢谐波磁动势,进而能大幅度降落次级永磁体涡流损耗。

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(图片来自网络侵删)
研究背景

20世纪90年代以来,电力电子技能的发展日趋成熟,用于电磁推进系统的直线电机逐渐成为研究的热点。
双边长低级分数槽集中绕组永磁直线同步电机非常适用于高速、高加速度场合。

但是分数槽集中绕组的电枢磁动势谐波含量比较大,特殊是高速场合,这些谐波磁动势相对付次级高速运动,进而在永磁体内感应出涡流,使得永磁体温度升高,乃至引起退磁。
因此,研究有效降落次级涡流损耗的方法具有很重大的意义。

论文方法及创新点

图1为传统4极6槽DSSLP-PMLSM的基本构造。
图2为提出的双边DSDLP-PMLSM的基本构造。

图1 DSSLP-PMLSM基本构造

图2 DSDLP-PMLSM基本构造

电机紧张由低级和次级两部分组成,低级包括低级铁心和两套低级绕组,次级包括基板和永磁体。
双边低级形成串联磁路,两套绕组对应相串联连接。

比较于传统对称构造,DSDLP-PMLSM的紧张特点:①低级宽即是槽宽,双边铁心一侧的齿与另一侧的槽相对;②两套绕组不是对称支配,对应相之间错了一个极距,并且反向连接。

选取同互相相错位的两个单线圈为工具,剖析DSDLP-PMLSM的电枢磁动势。
图3为两个线圈的磁动势谐波分布。
从图可见,相互错位的两个同相线圈产生的各次谐波磁动势有所差异,1、5、7次谐波磁动势分量空间分布相同,2、4次谐波磁动势分量空间分布恰好反向。

图3 磁动势谐波剖析

图4为相同工况下两种构造的电磁推力比拟曲线。
从图中可知,两种构造电磁推力随韶光的变革曲线相差不大,错位构造的均匀电磁推力略小于对称构造。
对称构造的均匀电磁推力为596N,错位构造的均匀电磁推力为566N,约降落了5%,错位构造对电机电磁推力的影响很小。

图4 电磁推力比拟曲线

图5为两种构造的永磁体涡流损耗比拟曲线。
从图中可知,对称构造的永磁体涡流损耗均匀值为36.1W,错位构造为5.6W,降落了近84.5%。

图5 永磁体涡流损耗比拟曲线

图6为永磁体涡流损耗分布。
从图中可知,对付对称构造,基板两侧的永磁体涡流呈对称分布,错位构造基板两侧的永磁体涡流损耗分布不同,错位构造可以有效地降落永磁体涡流损耗。

图6 永磁体涡流损耗分布

总结

本文针对4极6槽双边对称长低级永磁直线同步电机,提出一种双边错位构造,采取双边错位的方法对电机电枢磁动势谐波进行削弱。

结果表明,双边错位构造比较于双边对称构造,电枢谐波磁动势仅存在奇数次,偶数次被完备肃清;双边错位构造对电机的定位力和电磁推力影响都很小,使永磁体涡流损耗低落了近84.5%,该构造可以在担保电磁推力的情形下有效降落永磁体涡流损耗。

引用本文

寇宝泉, 葛庆稳, 张浩泉, 牛旭, 黄昌闯. 双边错位高速永磁直线同步电机的设计与剖析[J]. 电工技能学报, 2021, 36(6): 1149-1158. Kou Baoquan, Ge Qingwen, Zhang Haoquan, Niu Xu, Huang Changchuang. Design and Analysis of Double-Sided Dislocated High Speed Permanent Magnet Linear Synchronous Motors. Transactions of China Electrotechnical Society, 2021, 36(6): 1149-1158.

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