中国报告大厅今年1月发布的一份宣布显示，2019年，环球仅嵌入式非易失落性存储器市场总值达到了569亿元，估量2026年可以增长到1800亿元，年复合增长率(CAGR)为17.7%，整体非易失落性存储器市场体量会更大。
36氪最近不雅观察一个由清华技能控股孵化的集成电路领域、研发新一代非易失落性阻便存储器的创新型高科技初创公司。成立于2018年的北京新忆科技有限公司（以下简称「新忆科技」）是一家拥有核心技能和自主研发能力的存储器产销商，专注于新型存储器技能及运用。公司主营业务为新型阻变存储器（RRAM），包括独立式存储器（Stand-alone-Memory）、嵌入式存储器（Embedded Memory），及其周边的SOC产品（SOC：System on Chip，即系统级芯片或片上系统）。
根据官网公开信息，「新忆科技」的核心产品阻变存储器（RRAM or ReRAM，也称忆阻器）是新一代非易失落性存储技能之一，可运用于物联网、消费电子、汽车电子、医疗电子、航天航空和工业掌握等多个领域。非易失落性存储指的是，当关闭电流后，所存储的数据不会消逝的电脑存储技能。「新忆科技」的产品是如何实现非易失落性存储的？据官网先容，其存储器件采纳了M-I-M的三明治构造，即两层金属电极高下包围阻变层的构造。当在高下两层金属电极之间施加电压，阻变层便是以涌现一条导电通道，该通道的状态可通过掌握金属电极间的电压来变更。器件的电阻值随电压和导电通道的状态的变革而变革，并相互对应。如果去掉电极上的电压旗子暗记，电阻值（存储状态）仍旧会连续保持，这就使得存储器在断电之后存储状态不变、数据不会丢失。
图源官网：阻变器件的构造及事情机理
产品有诸多创新点和特点：第一，器件方面，因其构造大略、尺寸易于缩小，使得大容量、高密度的运用成为可能；第二，操作方面，利用办法简捷；第三，器件特性和性能方面，具有高速率，低功耗的特点。由于相较于传统闪存，RRAM的写入速率比其快1000倍以上，而且避免了预先擦除，施加相对低的电压即可实现同样的功效；第四，产品兼容性方面， 由于阻变器件中利用的材料为CMOS工艺中常用的材料，可与CMOS工艺（CMOS：Complementary Metal Oxide Semiconductor，即互补金属氧化物）兼容，适宜运用于嵌入式场景；第五，产品制造本钱较低，由于在制造工艺可减少利用掩膜版（一种用于图形“底片”转移的高精密工具）。
「新忆科技」的产品已有不少成功落地的运用案例。比如，RRAM的低功耗、宽电压的特点让实在用于嵌入可穿着设备中，延长电池改换韶光；在物联网领域，可用于放在节点设备中存储数据和代码等等。此外，公司还认为，基于阻变器件的事情事理，物理不可克隆PUF（PUF：Physical Uncloneable Function）芯片和类脑打算芯片采取新型的存算一体（In-Memory Computing）打算架构也会有不同程度的优化，具有广泛的运用前景。
公司依赖其前辈的技能和精良的团队在市场中建构竞争壁垒。技能方面，公司拥是新一代非易失落性存储技能；团队方面，公司创始人及核心成员均来自清华大学新型存储器团队，此前在新型非易失落性阻变存储器领域深耕近十年，其他成员也在芯片设计、开拓、管理方面有丰富履历。个中， 董事吴华强为清华大学微纳电子系教授、副系主任，曾任美国 AMD 公司和 Spansion 公司非易失落性存储器研发中央任高等研究员/主任研究员，从事前辈非易失落性存储器的架构、器件和工艺研究； 钱鹤系清华长聘教授，曾在中科院微电子所、三星半导体（中国）研究所任职，紧张研究方向为阻变存储器及其在类脑芯片上的运用，详细关注Si CMOS工艺技能、Si CMOS/SOI抗辐射电路和GaN微波功率器件等的研究。
2020年3月，钱鹤、吴华强团队在《自然》在线发文，通过优化材料和器件构造研制了首款多阵列忆阻器存算一体系统，这意味着可用更低功耗和低硬件成本来办理传统架构中算力难以提升的问题，该系统或可运用于对打算硬件和存储能力有更高需求的深度学习任务或人工智能项目。公开新闻称，该研究事情得到了国家自然科学基金委、国家重点研发操持、北京市科委、北京信息科学与技能国家研究中央及华为技能有限公司等支持。
目前，「新忆科技」官网公开的互助伙伴有清华大学、启迪之星、北京未来芯片技能高精创新中央、摩尔精英和厦门工研院等。
图片来源：天眼查
天眼查公开信息显示，「新忆科技」法定代表人为王坤，注书籍钱为2500万公民币，曾在2018年11月完成了由启迪之星、清华控股领投的天使轮融资，但详细金额未公开表露。股权穿透图显示，公司第一大股东为华控技能转移有限公司，持股24%；吴华强和钱鹤各持股20.72%；天使轮投资的领投方启迪之星持股9.2%。个中，华控技能由清华技能100%控股。
