IC
集成电路(Integrated Circuit,IC)：指通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容、电感等无源器件，按照一定的电路互联，“集成”在一块芯片（如硅或砷化镓）上，封装在一个外壳内，实行特定电路或系统功能的一种器件。集成电路按集成度高低的不同可分为小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路、特大规模集成电路和巨大规模集成电路等。
IDM
IDM的英文全称为Integrated Device Manufacture，它是一种集芯片设计、制造、封装、测试和发卖等多家当链环节于一体的一条龙家当运作模式。这种家当模式可以很好地协同设计、制造等环节以实现技能闭环，有助于快速发掘技能潜力，缺陷是运作用度较高，常日回报偏低。天下上拥有这种能力的企业并不多，较为代表的类型为：三星、英特尔（Intel）、意法半导体（ST）、德州仪器（TI）等。
Fabless
Fabless俗称“无工厂芯片供应商”或“无晶圆厂”，它是一种只从事芯片设计与发卖，而不涉及制造、封装和测试等环节的一种家当运作模式。这种家当模式运行用度较低，投资规模较小，转型灵巧，缺陷是无法做到IDM的技能协同设计，很难完成严苛的指标，而且由于涉及发卖，同时还需承受来自市场的各种风险。这种模式企业的范例代表有：高通（Qualcomm）、海思、联发科（MTK）、博通（Broadcom）等。
Foundry
Foundry即我们常说的“代工厂”，它是一种只卖力芯片制造、封装或测试的个中一个环节，不卖力芯片设计环节的一种家当运作模式。这种家当模式不用承担市场或产品设计毛病等决策风险，缺陷是投资规模较大，坚持产线稳定运行的用度较高，而且须要持续投入以提高工艺水平，以担保不被市场淘汰。这类企业范例代表为：台积电（TSMC）、联电（UMC）、格罗方德（Global Foundry）等。
Chiplet
Chiplet，也称作“芯粒”或“小芯片”，是一种将繁芜的SoC芯片在设计阶段就分解为不同功能单元，分别采取最得当的工艺制造后，再通过前辈封装技能进行互联封装的方法。这种技能的上风在于提高大芯片良率、降落设计繁芜度和本钱、减少芯片制造本钱。
FET
场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)：利用掌握输入回路的电场效应来掌握输出回路电流的一种电压掌握型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿征象、安全事情区域宽等优点。
电子设计自动化(Electronic Design Automation,EDA)：利用电子线路赞助设计软件，进行电子设计。
CISC
繁芜指令集打算(Complex Instruction Set Computing,CISC)：打算机系统的基本处理部件，每个微处理器的核心是运行指令的电路；指令由完成任务的多个步骤所组成，把数值传送进寄存器或进行相加运算。
RISC
精简指令集打算(Reduced Instruction Set Computing, RISC)：一种实行较少类型打算机指令的微处理器，能够以更快的速率实行操作。
CMOS
互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)：前辈的集成电路加工工艺技能，具有高集成、低本钱、低能耗和高性能等特色。
MOSFET
金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET)：一种可以广泛利用在仿照电路与数字电路的场效晶体管，依照其“通道”（事情载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型”两种类型，常日又称为NMOSFET与PMOSFET（简称还包括NMOS、PMOS）。
IGBT
IGBT 是“Insulated Gate Bipolar Transistor”的首字母缩写，中文名称是“绝缘栅双极晶体管”。IGBT 是由 MOSFET 和双极晶体管组成的复合器件，是同时具备这两种产品优点的功率晶体管。IGBT 有 N 沟道型和 P 沟道型两种，目前N 沟道型是主流产品。
晶体管(Transistor)：一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、旗子暗记调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压掌握输出电流。
晶圆(Wafer)：硅半导体集成电路制作所用的硅片，其形状为圆形，因而称为晶圆。
