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环球芯片短缺仍在蔓延，涨价之势此起彼伏。
纵然是在数字时期，但没有一款电子设备不须要仿照芯片，仿照芯片作为当今诸多设备中的关键组件，成为短缺的重点。
一方面受到疫情、天灾等的停产导致的供给失落衡，另一方面新能源汽车、5G等需求膨胀的速率快于芯片制造商的反应速率。
根据 IHS Markit 的剖析，继2021年的MCU之后，仿照芯片很可能成为未来三年汽车生产的紧张制约成分。
于是一众仿照芯片厂商开始大刀阔斧进行扩产和投资，以此来应对未来的发展需求和保持领先地位。

仿照芯片制造商一样平常采取IDM模式，方向于自己设计、制造和发卖芯片。
由于在仿照行业领域，繁荣和冷落的历史性周期问题是出了名的，以是仿照芯片制造商一贯对扩展持谨慎态度。
但现在，我们看到基本所有的仿照芯片厂商都开始了明显的扩产动作。

纵不雅观仿照芯片厂商无外乎这几家，根据IC Insights的报告，2020年排名前十的仿照芯片厂商分别是TI（德州仪器），ADI（亚德诺），Skyworks（思佳讯），Infineon（英飞凌），ST（意法半导体），NXP（恩智浦），Maxim（美信），ON Semi（安森美），Microchip（微芯），Renesas（瑞萨）。
这 10 家公司的仿照IC发卖额合计为 354 亿美元，占去年仿照 IC 市场总额570亿美元的62%。
除此之外，东芝也是很大的仿照芯片厂商，而且其投资操持也非常清晰。

德州仪器每年支出35亿美元

（图片来自网络侵删）

最近德州仪器发布了未来几年的成本支出操持，到2025年，德州仪器每年将支出约 35 亿美元用于芯片制造，根据华尔街目前的预测，该操持所代表的成本支出相称 TI 当年年收入的10% 以上。
而在过去十年间，德州仪器的均匀研发支出占到年收入的5%。
从2026年到 2030 年，它将连续投资其制造业，达到年收入的10%。
TI 的阐明是，它看到了更多的增长前景，因此须要更多的生产能力。
TI的目标是在未来十年旁边实现7%的符合年收入增长率，在2010-2020年间的凭借增长率为4%。

德州仪器将扩大工厂的数量，大约为4家，紧张在谢尔曼进行，该公司操持今年完成前两家工厂的培植，估量2025年第一家工厂投产。
第三和第四家工厂的培植将在 2026 年至 2030 年之间开始。
德州仪器表示，当其完成其位于犹他州的Sherman、Richardson和 Lehigh制造厂以及马来西亚的另一个制造厂时，该公司将拥有八家工厂生产 300 毫米晶圆技能。

去年早些时候，德州仪器还以9亿美元收购了美光科技位于犹他州Lehi的一座12英寸晶圆制造厂。
该厂最初是美光科技操持用其生产3D Xpoint存储芯片，由于美光退出3D Xpoint业务，德州仪器操持将其改造，用于制造65nm和45nm工艺的仿照和嵌入式芯片。

ADI扩产招聘数百人

ADI 去年的收入增长了30%以上，达到73亿美元。
因此，与许多其他芯片制造商一样，ADI也在提高产量来知足巨大的需求。
ADI在爱尔兰、马萨诸塞州、华盛顿卡马斯、在比弗顿附近的泰克园区都有自己的工厂。
现在，ADI正为其工厂进行扩建招人。

俄勒冈工厂是ADI在2020年从Maxim中收购而来的，这也是其最大的工厂。
去年12月份ADI完成了大规模扩建，增加了工程实验室、故障剖析实验室和工程测试平台。
ADI表示，公司操持在未来两年内将华盛顿县的700名员工增加近40%。
他说，招聘已经开始并将持续到 2024 年，ADI 将在后期招聘阶段增加操作员、掩护技能员和工程师的职位。

卡马斯工厂是ADI 2016 年收购凌力尔特所得，ADI在卡马斯雇佣了大约 350 名员工，估量随着产量的增加将增加50名。
该公司正在招聘操作员、技能职员和工程师。

Skyworks发力WiFi

Skyworks在滤波器方面取得了重大的成功，内置 BAW 滤波器的集成设备的收入增长非常强劲。
而现在，Skyworks又看到了滤波器在WiFi系统中的浸染。
在Skyworks的Broad Markets的计策中，一个关键便是提高整体WiFi性能的标准。
在这方面，Skyworks有自己的砷化镓技能、TC-SAW(热补偿表面声波滤波器)、标准SAW、体声波、组装和测试。
此外，Skyewokrs还在Mexicali进行必要的投资，用于其后端运营，支持前辈的封装和测试。

英飞凌新功率半导体工厂启用

英飞凌早在2018年开始方案在奥地利菲拉赫（Villach）培植300毫米薄晶圆功率半导体工厂，投资大约为16亿欧元，2021年9月17日，这家工厂正式启用。
这是英飞凌针对功率半导体的第二家300mm晶圆工厂。
首批晶圆已完成出货。
第一阶段扩产目标，是知足汽车行业、数据中央、太阳能和风能等可再生能源发电领域的需求。
据金融时报宣布，英飞凌在近日表示，将再花费24 亿欧元扩大业务以知足需求,会在4-5年内逐步提升产能。
菲拉赫新工厂将与德累斯顿的300mm生产厂合体，跨两地发挥协同和弹性特色，实现虚拟生产。

意法半导体投资翻番

在2021年第四季度财报会上，意法半导体表示，目前公司积压的订单能见度为18个月旁边，远高于ST目前及已经方案的2022年产能。
而且今年的车用芯片产能已经发卖一空。
今年意法半导体的成本支出操持将达到约34亿至36亿美元，较2021年的18亿元投资增加近一倍，紧张用于进一步提高产能，个中包括在意大利Agrate 12英寸新晶圆厂培植第一条生产线。

2021年7月，意法半导体宣告，其瑞典北雪平工厂制造出首批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圆片，这些晶圆将用于生产下一代电力电子芯片的产品原型。
据意法半导体所称，与 150mm晶圆比较，200mm晶圆可增加产能，将制造集成电路可用面积险些扩大1 倍，合格芯片产量是150mm晶圆的1.8 -1.9倍。

恩智浦封测厂投产

2021年9月，恩智浦半导体（天津）集成电路测试中央一期改造项目竣工投产，该中央紧张进行封装测试。
该封测公司是2015年恩智浦从飞思卡尔手中收购得来，经由多年的发展，其封装测试工厂生产能力已靠近饱和，没有足够的生产空间来进一步引进新的生产设备，形成工厂的产能规模，承接未来新产品的生产。

除此之外，去年中旬，据国外媒体宣布，芯片代工厂商联华电子宣告将于环球多家客户携手，扩充12A厂产能，参与的客户将以议定价格预先支付订金，确保得到扩充后的长期产能。
个中，恩智浦已同联华电子达成6年芯片代工协议。

安森美发力新策略

去年，安森美改名，确立了公司的新计策：智能电源和智能感知。
由传统IDM模式向更加灵巧的Fab-Liter模式转型，将采纳更加灵巧的制造路线和策略，未来会退出规模不敷的晶圆厂、聚焦300mm晶圆产能，并将提高通用封装后端厂的灵巧性。

2021年Q2的财报显示，安森美营收的6%用作了成本投入。
安森美表示，未来两年将加大投资力度，由6%增加到12%，紧张用于扩产300mm晶圆厂的产能，再一个是加强SiC供应链环节，包括基板沉底等终极产品，以及封装。
而在2021年第四季度财报电话会议上，安森美表示，操持到2022年将其基板业务产能增加四倍以上，并打算进行大量投资以扩大其设备和模块产能。
到2022年，安森美估量其碳化硅收入将同比增长一倍以上。

此外，去年8月，安森美宣告以4.15亿美元现金收购SiC生产商GT Advanced Technologies，并操持投资扩大GTAT的研发事情，以推进150mm和200mm SiC晶体成长技能。

Microchip 4000万美元升级工厂

2022年1月，Microchip宣告操持斥资4000万美元用新技能改造其科罗拉多斯普林斯半导体工厂，这将在未来六个月内增加50至75 名员工，它将为工厂购置安装新设备，由原来6英寸晶圆转向8英寸晶圆的生产，这将使其可以生产的芯片数量险些翻倍。
公司操持在未来六个月内连续招聘超过 50-75人，并在未来两到五年内进行另一阶段的扩展。

瑞萨车载MCU产能提高50%

瑞萨是天下车规级半导体龙头，在车用MCU领域节制环球两成份额。
2021年9月29日，瑞萨电子在经营解释会上透露，操持到2023年将车载MCU产能提高50%以上（较2021年），同时将提高设备投资金额，估量到2021年将超过800亿日元，到2022年将在600亿日元旁边，该公司目前的设备投资金额约200亿日元。

东芝投入5700亿日元

2022年2月8日，东芝召开了关于两家公司分拆后可能的经营计策的简报会。
会议中指出，为了应对环球半导体供应短缺和存储需求扩大的方法，将促进产能扩大和稳定采购网络的培植，东芝将在5年内投入5700亿日元进行成本投资和研发。

产能方面，2021年至2025年将投资约2600亿日元。
紧张投资包括功率半导体用200mm线的扩建、2022 年2月4日宣告的日本石川县新建300mm线的培植、现有建筑物的运营推进、化合物半导体用200mm线的开拓操持。
此外，东芝还操持在菲律宾基地增加近线硬盘的产量，在中国建立硬盘基地，并扩大其横滨工厂的半导系统编制造设备制造空间。

在构建稳定的采购网络方面，东芝强调，半导体80%的材料都签订了长期条约，多方采购比例提高到70%以上。

到2025年，研发用度操持约为3100亿日元。
紧张在半导体、HDD和半导系统编制造设备三大业务上加大研发。

在半导体领域，东芝的全体半导体业务目标是将发卖额从估量在 2021年的3200亿日元增加到 2025年的3700 亿日元。
东芝操持专注于车载和工业运用的功率半导体，在重点关注的功率 MOSFET方面，东芝操持到2025年从第四的环球份额升到第三。

个中，仅功率半导体的研发，操持在五年内投资1000亿日元，用来扩大硅功率半导体产品阵容、开拓高效封装、加速开拓SiC和GaN产品等。
公司目前主打的硅功率MOSFET是第8代，第9代导通电阻降落15%，第10代比8代降落了30%，正在开拓第11代，比第8代导通电阻降落了40%，并且将在2023 年之前将硅功率 MOSFET产品数量翻一番。
公司车载硅IGBT目前正在量产耐压750V和1.2kV的产品，为了提高逆变器特性，2022年开始量产集成二极管和IGBT的新产品。
第二代二极管集成产品将在300mm线上生产，2026年开始量产。

同时东芝操持在2024年量产车载充电器用SiC MOSFET产品。
在GaN器件的研发上，东芝操持在2023年开始供应结合GaN和硅功率MOSFET的产品。
听说与硅器件比较，该产品可将损耗减少一半。
据悉，东芝的仅用GaN实现高速开关，电源单元体积比硅缩小约60%的第二代产品正在开拓中。

另一项加大研发的业务是近线硬盘HDD，开拓新HDD型号，该业务市场对数据中央/云做事供应商的需求正在扩大，估量2021年至2030年的复合年增长率将达到 22%。
东芝操持在2023年完成一台30T字节的机器，目标是未来35TB以上的记录容量。

再便是在半导系统编制造设备上的布局，东芝将专注于电子束掩模光刻设备和外延成长设备。
据悉，东芝的NuFlare Technology作为单束机中20纳米以下前辈节点的电子束掩模光刻系统拥有100%的市场份额。
多光束机“MBM-2000”于2021年交付给客户，操持到2023年霸占50%的市场份额。
此外，东芝正在开拓一种新的电子源，以得到更高的电流和更高的亮度，用于支持2nm，希望在2023年底前开始出货，以知足客户的发展路线图。

在外延成长设备方面，东芝估量市场增长将受到xEV、下一代通信标准中利用的SiC、GaN功率半导体的快速增长以及直径增加到200 mm晶圆的推动。
该公司的SiC和GaN外延成长设备是一种独特的方法，赌气体垂直向下均匀地流向反应器中高速旋转的晶片，具有低毛病密度、高均匀性和在薄膜上高速成膜的特点表面。

写在末了

当下的供应短缺没有短期办理办法，而稳定的晶圆产能供应无疑是仿照芯片厂商接下来的竞争点。
但扩展之后，在某个韶光点，他们产品会太多，如果短缺或涨价的周期在某个时候结束，仿照芯片厂商们也应该要为此做好准备。

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