晶合集成申请一种掩模版及其图形修正方法专利能够准确地实现对半导体结构的多次曝光提升制程良率,光刻机概念股的龙头股。

专利择要显示，本发明公开了一种掩模版及其图形改动方法，掩模版用于半导体构造的曝光步骤，掩模版至少包括：多个图版，图版包括遮盖区域和光刻区域，遮盖区域和光刻区域连接，多个光刻区域的图案拼接并形成掩模版的光刻图案，个中本次曝光所利用的图版为二级图版，前一次曝光所利用的图版为一级图版；切割道，设置在图版上；以及第一赞助图案，设置在一级图版上，第一赞助图案位于光刻区域，且第一赞助图案分布在切割道中，个中第一赞助图案在二级图版上的正投影位于遮盖区域内。
本发明供应了一种掩模版及其图形改动方法，能够准确地实现对半导体构造的多次曝光，提升制程良率。

本文源自金融界