图：多沟道GaN HEMT构造外延片及其范例2DEG分布
近年来，随着GaN电力电子器件的广泛运用，大大促进了如大功率快速充电器，太阳能光伏以及新能源汽车等领域的技能创新和快速发展。为了进一步知足大功率系统中的超高转化效率的哀求，须要同时实现高击穿电压以及低导通电阻。而在高电压运用下，氮化镓器件的发热/能量的损耗紧张由导通电阻引起，这是电力电子器件的最大寻衅。
针对这一非常具有寻衅性的课题，从2017年起，苏州晶湛半导体有限公司与瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL)互助共同研发多沟道高电子迁移率晶体管技能。这项技能采取苏州晶湛半导体独特的多沟道异质构造外延片 (multi-channel AlGaN/GaN heterostructure)，通过多少个垂直集成的二维电子气(2DEG)通道，在保持高电子迁移率的同时增加沟道中的载流子密度，厥后果犹如增加多个新的快速车道，分流高速运动的载流子，从而有效地降落了导通电阻和发热。
在此新型多沟道外延片材料根本上制备的MOSHEMT器件，采取类似鳍式场效应晶体管（FinFET）的构造，独特的漏斗状栅极设计可以有效地掌握多个通道且固有电容较小。基于上述技能开拓的耗尽型以及增强型新型纳米线功率晶体管，实现了低至2.5Ω mm以及3.2Ω mm导通电阻，同时保持1300V 的击穿电压，功率品质因数高达4.6 GW cm−2（耗尽型）以及3.8 GW cm−2 （增强型）。干系研究结果揭橥于行业顶级期刊Nature Electronics，IEEE Electron Device Letters，以及国际顶级会议IEDM，引起了广泛的关注。
苏州晶湛半导体有限公司创始人兼CEO，程凯博士评论道：“我们在研发的一开始采取了大尺寸Si衬底成长基于氮化镓材料的多沟道异质构造，并且考试测验了多种构造设计。目前优化的设计可以在厚度为130nm的4层沟道AlGaN/GaN异质结中，实现<100 Ωsq-1的面电阻，>4x1013cm-2的载流子浓度（Ns）以及>1,800 cm2V-1S-1的迁移率（µ）。
多沟道设计可以打破单沟道器件的理论极限，进一步减少开态电阻和系统损耗，并能达到1200V系统的哀求，大大提高GaN器件在高压功率领域的竞争上风，在电动汽车、充电桩等高压运用领域具有很大的潜力。此外，我们已具备在Si、SiC、蓝宝石等多种不同衬底上外延类似多沟道异质构造的能力，这种新型多沟道异质构造器件在电力电子、通信射频等领域有非常广阔的运用空间。
