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路透社24日（当地韶光）独家宣布称，三星电子为向美国半导体企业英伟达供应第四代高带宽存储器（HBM）HBM3通过了质量验证，但第五代高带宽存储器HBM3E尚未达到标准，干系芯片的测试仍在连续。
路透社当天援引3名就此问题听取简报的人士的话宣布称：“HBM3将只用于针对中国市场开拓的英伟达图形处理器（GPU）H20。这是弱绿灯（muted greenlight）。”英伟达今年年初曾推出用于出口中国的半导体H20，因美国对华半导体出口限定而降落了性能。
路透社预测，三星电子最早将从8月开始供应用于H20进程的第四代高带宽内存。英伟达和三星电子没有回答路透社的干系提问。
（图片来自网络侵删）
高带宽存储器2013年开始生产，积累8~12张DRAM，中间打通4000多个移动通道（TSV）制成的高性能存储器。作为构成人工智能图形处理器的核心要素，对海量数据的处理至关主要。随着天生型人工智能市场的扩大，对数据处理的需求剧增。
竞争对手SK海力士从2022年6月开始供应第四代高带宽存储器，今年3月开始供应第五代高带宽存储器产品。三星电子到目前为止还没有通过对第四代和第五代高带宽存储器的样本验证。
此前，路透社今年5月曾援引匿名人士的话宣布称，三星电子未能通过英伟达的测试，并因此表示“在发热和电力花费问题上碰着了困难”。三星电子对此进行了回嘴。
