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专利择要显示,一种MEMS电容传感器及其制备方法,该传感器包括第一电极构造(200),该第一电极构造(200)包括位于中间区域的第一导电区域(230a)以及所述第一导电区域周围的绝缘区域(240),第一导电区域(230a)和绝缘区域(240)为一整体构造,且个中至少一个通过掺杂办法形成。上述MEMS电容式传感器,通过在第一电极构造中设置在中间区域的第一导电区域导电,第一导电区域周围的绝缘区域绝缘,降落了MEMS电容式传感器的寄生电容,并且无需设置多层绝缘薄膜,避免了残余应力掌握繁芜、多层薄膜剥离和波折的问题。
本文源自金融界

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