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Seo Jae-Wook 表示：
从 1c DRAM 开始，EUV 光刻本钱迅速增加，现在是时候考虑以这种办法制造 DRAM 是否有利可图了。
（SK 海力士）也在考虑是否该当从下一代产品开始转向 VG（IT之家注：即垂直栅极，Vertical Gate）或 3D DRAM。
（图片来自网络侵删）
Seo Jae-Wook 此处提到的 VG DRAM 即 4F2 DRAM，三星电子称其为 VCT（垂直通道晶体管）DRAM，是一种垂直构建单元构造的新型内存。
▲ 三星电子此前展示的 VCT DRAM 构造
4F2 DRAM 的源极、栅极、漏极和电容从下到上放置，字线和位线分别连接到栅极和源极，相较现有的 6F2 DRAM 可减少约 30% 芯片面积。Seo Jae-Wook 估量 VG DRAM 将在 0a nm 节点后量产。
三星电子、SK 海力士、美光三大原厂采取 EUV 光刻的 1c nm DRAM 即将在 2024~2025 年推出。而从下代 1d nm 节点开始，前辈内存将利用 EUV 多重曝光，大幅提升生产流程中 EUV 光刻环节的本钱。
Seo Jae-Wook 表示，利用 VG 或 3D DRAM 构造，能将内存的 EUV 光刻本钱降至传统 6F2 DRAM 的一半以下。
个中对付 VG DRAM，可再坚持 1~2 代工艺的低光刻本钱，但在那之后 EUV 本钱将回归急剧上升轨道；而 3D DRAM 路线则须要对沉积与蚀刻设备进行大规模投资。
