当前,环球EUV光刻设备市场紧张由荷兰ASML公司垄断,其设备通过繁芜的10镜反射系统实现EUV光到晶圆的高精度转印,但过程中EUV能量丢失严重,仅约1%终极抵达晶圆。比较之下,新技能通过减少反光镜数量至4个,显著提升了能量传输效率,使得超过10%的EUV能量能够直接浸染于晶圆,整体耗电量因此降落至原设备的约十分之一。
此外,新技能还简化了设备构造,预期能够大幅降落设备的制造本钱,估计原来约200亿日元的设备引入用度有望减半。为验证这一技能的可行性与效果,冲绳科学技能大学院大学操持首先利用发光二极管(LED)在缩小至实际设备二分之一大小的模型上进行初步测试,随后自2025年起转用EUV光源进行深入验证。
新竹积教授表示期望与企业界携手互助,力争最早在2026年成功研发并推出首台采取该新技能的EUV光刻设备。
