而光刻就须要用到光刻机，而7nm及以下芯片的光刻时，就须要用到EUV光刻机。EUV光刻机非常繁芜，环球只有ASML一家企业能够生产。
同时EUV光刻机本钱非常高，一台EUV光刻机售价超过10亿元，最新的0.55数值孔径的EUV光刻机，价格更是超过3亿美元（20亿元）。
这对付一样平常的晶圆企业而言，是不可承受的本钱，以是一贯以来，业界都磋商EUV光刻机的替代方案。
目前已经被确定的替代EUV光刻机的方案已经有三种，分别是1、纳米压印光刻（NIL）；2、直接自组装（DSA）光刻；3、电子束光刻（EBL）。
EBL电子束光刻机，大家可能熟习了，前段韶光美国公司Zyvex，就搞出了一台电子束光刻机(EBL)，并制造了768皮米（0.768nm），不过这种光刻办法速率慢，不可能用于在规模芯片制造。
而纳米压印光刻技能，目前被佳能押注，目前佳能已经能够供应NIL光刻机，比如东芝，就一贯想用NIL光刻机光降盆NAND闪存，同时在NIL光刻专利中，佳能遥遥领先。
当然，目前NIL光刻机还不能与EUV光刻机比较，NIL光刻机远远达不到EUV的精度，但未来能可就说不准了。
DSA光刻，目前没有一定特定的厂商不才注，就像佳能对付NIL技能一样。但如下图所示，在NIL、EUV、DSA三大光刻机上，巨子们都早已布局了。
NIL、EUV、DSA三大技能专利情形
佳能当然紧张布局NIL，在NIL专利中占绝对上风，至于EUV方面，基本上不关注，DSA光刻基本放弃。
而台积电、三星这两大晶圆巨子，则是NIL、EUV、DSA三大光刻技能，都是做了准备，不过EUV光刻的专利相对多一点，再是NIL,末了是DSA。
而ASML当然发力EUV，但对NIL也比较关注，专利方面，EUV有345件，而NIL上也有187件，在DSA上则只有16件。
蔡司作为EUV光刻机的主要供应链，紧张还是发务EUV，专利上占到了353件，而NIL也有38件，DSA则为0。
很明显，被ASML垄断了EUV光刻机后，鉴于本钱、产能等问题，EUV光刻机实在也面临着非常大的竞争，大概现在还看不到对手，但未来还真说不准。
只是希望这些技能，我们能够节制一项，这样就不用担心在光刻机上被卡脖子了，那么中国芯就必定会崛起，你以为呢？
