BISS0001芯片介绍_引脚图_应用电路图

其紧张特点如下：

● CMOS数模稠浊专用集成电路

● 具有独立的高输入阻抗运算放大器

● 可与多种传感器匹配，进行旗子暗记预处理

● 双向鉴幅器可有效抑制滋扰

● 内设延迟韶光计时器和封锁韶光计时器

● 构造新颖、稳定可靠、调节范围宽

● 内置参考电源

● 事情电压范围宽： +3V～+5V

● 封装形式： SOP16/DIP16

DIP16

SOP16

长

19.2mm

10.2mm

宽

9.0mm

6.2mm

高

7.91mm

1.75mm

事情事理

BISS0001 的内部框图如图 1 所示，外接元件由利用者根据须要选择。
由图 1 可见 BISS0001 是由运算放大器、电压比较器、状态掌握器、延迟韶光定时器和封锁韶光定时器及参考电压源等构成的稠浊专用集成电路。
可广泛运用于多种传感器和延时掌握器。
BISS0001 有两种触发办法：可重复触发和不可重复触发。

BISS0001 不可重复触发事情办法各点事情波形如下：

首先，根据实际须要，利用运算放大器 OP1 组成传感旗子暗记预处理电路，将旗子暗记放大。
然后耦合给运算放大器 OP2，再进行第二次放大，同时将直流电位抬高为 VM≈0.5VDD， 将输出旗子暗记 V2 送到由比较器 COP1 和 COP2 组成的双向鉴幅器，检出有效触发旗子暗记 VS。
由于 VH≈0.7VDD，VL≈0.3VDD，以是，当 VDD=5V 时，可有效抑制±1V 的噪声旗子暗记，提高系统的可靠性。

COP3 是一个条件比较器。
当输入电压 VC<VR(≈0.2VDD)时， COP3 输出为低电平封住了与门U2，禁止触发旗子暗记 VS 向下级通报；而当 VC<VR， COP3 输出为高电平，进入延时周期。
当 A 端接“0” 电平时，在 Tx 韶光内任何 V2 的变革都被忽略，直到 Tx 韶光结束，即所谓的不可重复触发事情办法。
当 Tx 韶光结束时， VO 下跳回低电平，同时启动封锁韶光定时器而进入封锁周期 Ti。
在 Ti韶光内，任何 V2 的变革都不能是 VO 跳变为有效状态（高电平），可有效抑制负载切换过程中产生的各种滋扰。

BISS0001 可触发事情办法各点事情波形如下：

在 VC=“0”、 A=“0” 期间，旗子暗记 VS 不能触发 VO 为有效状态。
在 VC=“1”、 A=“1” 时，VS 可重复触发 VO 为有效状态，并可匆匆使 VO 在 Tx 周期内一贯保持有效状态。
在 Tx 韶光内，只要 VS 发生上跳变，则 VO 将从 VS 上跳变时候起连续延长一个 Tx 周期；若 VS 保持为“1” 状态，则 VO 一贯保持有效状态；若 VS 保持为“0” 状态，则在 Tx 周期结束后 VO 规复为无效状态，并且，同样在封锁韶光 Ti 韶光内，任何 VS 的变革都不能触发 VO 为有效状态。

上图中，运算放大器 OP1 将热释电红外传感器的输出旗子暗记作第一级放大，然后由 C3 耦合给运算放大器 OP2 进行第二级放大，再经由电压比较器 COP1 和 COP2 构成的双向鉴幅器处理后，检出有效触发旗子暗记 VS 去启动延迟韶光定时器，输出旗子暗记 VO 经晶体管 T1 放大驱动继电器去接通负载。

上图中， R3 为光敏电阻，用来检测环境照度。
当作为照明掌握时，若环境较通亮， R3 的电阻值会降落，使 9 脚的输入保持为低电平，从而封锁触发旗子暗记 VS。
SW1 是事情办法选择开关， 当 A接高电平时，芯片处于可重复触发事情办法；当 A 接低电平时，芯片则处于不可重复触发事情办法。
输出延迟韶光 Tx 由外部的 R10 和 C6 的大小调度，值为 Tx≈49152×R10×C6；触发封锁韶光 Ti 由外部的 R9 和 C7 的大小调度，值为 Ti≈48×R9×C7。

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