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平泽 P4 是一座综合性半导体生产中央，分为四期。根据此前方案，一期为 NAND 闪存，二期为逻辑代工，三期、四期为 DRAM 内存。三星已在 P4 一期导入 DRAM 生产设备，但搁置了二期培植。
而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 级内存工艺，各家的 1c nm（或对应的 1γ nm）产品目前均尚未正式发布。韩媒在宣布中称，三星电子操持在今年底启动 1c nm 内存生产。
▲ 三星平泽厂区
根据IT之家此前宣布，三星电子考虑在明年下半年推出的 HBM4 内存上利用 1c nm DRAM 裸片，以更前辈的 DRAM 制程提升 HBM4 产品的能效竞争力，追赶 HBM 领域领先者 SK 海力士。
（图片来自网络侵删）
考虑到 HBM 内存对 DRAM 晶圆的花费量远高于传统内存，平泽 P4 培植 1c nm DRAM 产线也是在为可能的 HBM4 生产需求做好准备。
