通过这几个济南项目，能看出山东在三代半导体项目中极力发展的势头，明显的是想在这个领域走在行业的前面，目前海内这类规模的化是省市不超过5个，这类我们在以前的项目推举中可以看到。
山东济南规模推动这类项目，在海内就已经很值得赞了！
有些项目看动作就能明白一个省份的意图，我是说表面哦！
由于这个领域的人才储备、资金投入、后期的持续研发都是非常吃本钱的项目，几大规模省份只能相互借鉴联合才能在不用耗过多资源的条件下，有我们自主研发的三代科技产品。
项目预期实现第三代半导体高性能器件家当化和规模化运用的关键是要得到价格合理的低毛病密度GaN 晶体基片。
本项目技能团队所拥有的高技能和低本钱上风在国内外是独一无二的，技能领先、工艺成熟，已经具备大规模量产的条件。本项目长远目标是建成天下最大规模的氮化镓衬底生产基地，供应 GaN 衬底以及集成 GaN 基光电子器件和微电子器件的晶片等，用于知足中国乃至全天下在全固态照明、超高密度光存储读写光源等信息技能的发展和半导体功率电子器件等运用领域的需求.
项目概述一期建成中尝尝验平台，实现衬底批量量产；
二期根据市场需求持续扩大生产，再投入 100 台各型核心及配套设备，年产 TIE 衬底 35 万片以上；
三期根据市场需求持续扩大生产，并拓展到芯片制造领域，供应基于氮化镓衬底的器件晶片，建玉成家当链的高端发光和功率电子器件的高技能公司。
关于项目的投资内容：总投资 15 亿元5 年内终极达到年产 TIE 氮化镓衬底 50 万片以上，建成天下最大家当规模的氮化镓衬底生产基地。实现2英寸GaN衬底的批量生产，大大的提高了产量和产率。量产完成后通过生产和质量管理，每天单台设备可实现2次成长，产量翻倍，良率达到90%的情形下，年产量和年产值分别可达4万片、3.8亿元。
更多项目的先容，可借鉴：项目种别：新建、融资。互助办法：独资、合伙、互助、股权投资等。
项目履行周期：
干系举动步伐在1年内建成，第二年即可实现中试和量产，第三年能够实现上述产能。考虑到市场运用逐渐成熟，需求持续增加，纵然考虑设备折旧和材料等本钱，也可很快实现动态的盈利。
每期关注一个区域，每期讲述一个行业。如想理解更多海内三代半导体项目的，敬请关注！
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