静电，常日都是人为产生的，如生产、组装、测试、存放、搬运等过程中都有可能使得静电累积在人体、仪器或设备中，乃至元器件本身也会累积静电，当人们在不知情的情形下使这些带电的物体打仗就会形成放电路径，瞬间使得电子元件或系统遭到静电放电的破坏(这便是为什么以前修电脑都必须要配戴静电环托在事情桌上，防止人体的静电损伤芯片)，犹如云层中储存的电荷瞬间击穿云层产生剧烈的闪电，会把大地劈开一样，而且常日都是在雨天来临之际，由于空气湿度大易形成导电通到。
那么，如何防止静电放电损伤呢？
并联放电器件
常用的放电器件有TVS，齐纳二极管，压敏电阻，气体放电管等。如图
1.1、齐纳二极管（ Zener Diodes ，也称稳压二极管 ） 。利用齐纳二极管的反向击穿特性可以保护 ESD敏感器件。但是齐纳二极管常日有几十 pF 的电容，这对付高速旗子暗记（例如 500MHz）而言，会引起旗子暗记畸变。齐纳二极管对电源上的浪涌也有很好的接管浸染。
1.2、瞬变电压肃清器 TVS(Transient Voltage Suppressor) 。TVS 是一种固态二极管，专门用于防止 ESD 瞬态电压毁坏敏感的半导体器件。与传统的齐纳二极管比较， TVS 二极管 P/N 结面积更大，这一构造上的改进使 TVS
具有更强的高压承受能力，同时也降落了电压截止率，因而对付保护手持设备低事情电压回路的安全具有更好效果。
TVS二极管的瞬态功率和瞬态电流性能与结的面积成正比。该二极管的结具有较大的截面积，可以处理闪电和 ESD所引起的高瞬态电流。TVS也会有结电容，常日0.3个pF到几十个pF。TVS有单极性的和双极性的，利用时要把稳。手机上用的TVS大约0.01$，低容值的约2-3分$。
1.3、多层金属氧化物构造器件 (MLV)，大陆一样平常称为压敏电阻。MLV也可以进行有效的瞬时高压冲击抑制，此类器件具有非线性电压 - 电流 ( 阻抗表现 ) 关系，截止电压可达最初中止电压的 2 ～ 3倍。这种特性适宜用于对电压不太敏感的线路和器件的静电或浪涌保护，如电源回路，按键输入端等。手机用压敏电阻约0.0015$,大约是TVS价格的1/6，但是防护效果没有TVS好，且压敏电阻有寿命老化。
串联阻抗
一样平常可以通过串联电阻或者磁珠来限定ESD放电电流，达到防静电的目的。如图。如手机的高输入阻抗的端口可以串1K欧电阻来防护，如ADC，输入的GPIO，按键等。不要担心0402的电阻会被打碎，实践证明是打不坏的。这里不详细剖析。用电阻做ESD防护险些不增加本钱。如果用磁珠，磁珠的价格大约0.002$,和压敏电阻差不多.
增加滤波网络
前面提到了静电的能量频谱，如果用滤波器滤掉紧张的能量也能达到静电防护的目的。
对付低频旗子暗记，如GPIO输入，ADC，音频输入可以用1k+1000PF的电容来做静电防护，本钱可以忽略，性能不比压敏电阻差，如果用1K+50PF的压敏电阻（下面讲的复合防护方法），效果更好，履历证明这样防护效果有时超过TVS。
对付射频天线的微波旗子暗记，如果用TVS管，压敏等容性器件来做静电防护，射频旗子暗记会被衰减，因此哀求TVS的电容很低，这样增加ESD方法的本钱。对付微波旗子暗记可以对地并联一个几十nH的电感来为静电供应一个放电通道，对微波旗子暗记险些没有影响，对付900MHZ和1800MHz的手机常常用22nH的电感。这样能把静电紧张能量频谱上的能量接管掉很多。
复合防护
有一种器件叫EMI filter，他有很好的ESD防护效果，如图。EMI filter也有基于TVS管的和基于压敏电阻的，前者效果好，但很贵，后者廉价，一样平常4路基于压敏电阻的EMI价格在0.02$.
实际运用中可以用下面的一个电阻+一个压敏电阻的办法。他既有低通滤波器的功能，又有压敏电阻的功能，还有电阻串联限流的功能。是性价比最好的防护办法，对付高阻旗子暗记可以采取1K电阻+50PF压敏；对付耳机等音频输出旗子暗记可以采取100欧电阻+压敏电阻；对付TP旗子暗记串联电阻不能太大否则影响TP的线性，可以采取10欧电阻。虽然电阻小了，低通滤波器效果已经没有了，但限流浸染还是很主要的。
增加接管回路
可以在敏感旗子暗记附件增加地的漏铜，来接管静电。道理和避雷针事理一样。
在旗子暗记线上放置尖端放电点（火花隙）在山寨手机设计中也常常运用。
翻盖机受话器上TVS管或压敏电阻该当放在哪？
很多人理解静电防护器件在layout时要靠近端口摆放，翻盖机或者滑盖机受话器（receiver，rec）上的TVS或压敏电阻要放在上板靠近rec的地方。实在不然，请看下面剖析。
这是一个翻盖机或者滑盖机，的等效电路，TVS在上板，主IC在主板，中间用比较长的FPC连接。rec是个线圈，不怕静电，怕静电的是IC。
中间的电感分别是FPC上地网络和旗子暗记线的等效电感。当静电打在rec上时，由于TVS的钳位浸染和等效电容存在，静电放电瞬时REC旗子暗记线上的电压Ub和小板的电压Ug可以算作相等的，静电荷要从FPC的地网络转移一部分到主板的地上，这时会在主板的地和小板的地之间产生一个压差Ug-0=Ug。对付旗子暗记线如果是高祖状态，纵然FPC存在更大的等效电感，但是由于高阻抗不会产生电流，Ua和Ub可以算作是同等的，这样Ua=Ub=Ug，也便是芯片端和地之间会产生一个电压差，这个压差险些即是放电瞬间小板地合主板地的电压差，这个电压差如果很大会使IC破坏。电压差大小取决于ESD放电的等级和FPC地上的等效阻抗和电感。如果是非高祖旗子暗记会有一点电流，电流大了芯片也就坏了。这样也可以近似算作Ua=Ub=Ug。因此TVS或压敏电阻放在上板如果静电达到rec上会有问题。
如果静电打在小板的地上，由于TVS或压敏的钳位和等效电容，同样Ub=Ug。由于FPC的地上等效电感存在，Ug和主板地会存在压差。旗子暗记线上没有电流Ua=Ub=Ug。Ua加在芯片端口上会打碎芯片。
如果静电打在主板地上，主板地上电荷部分会往小板地转移，产生电流，电流在FPC地等效电感上产生电压，同样会在主板地和小板地之间的电压会直接加在芯片两端烧坏芯片。
如果TVS或压敏电阻加在主板上，如图由于TVS或压敏的钳位浸染，Ua和地之间电压不会太高起到保护芯片的浸染。静电放在rec上，电流传导到主板上被TVS接管掉，电荷打在小板地和主板地上都和旗子暗记线没有关系。
静电防护器件该当放在哪？
rec情形如此，其他旗子暗记线电源也如此。
上面剖析的是用FPC连接两个板的情形，实在纵然一块板子地上也会有阻抗的存在，这么看静电防护器件靠近芯片越近越好，即保护谁就靠近谁。特殊是没有完全地层的板子。
但有个问题如果靠近芯片在端口到TVS这段走线会存在大的放电电流和电压，这样会滋扰到与其相邻的为保护的旗子暗记线。鉴于手机主板有完全地层，地上等效阻抗比较小，建议把静电防护器件放在主板的接口处，但不能放在小板，按键板等上面。
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