清华大年夜学取得多模式薄膜传感器的晶圆级集成方法及电子产品专利可以制造出多模式薄膜传感器的电子产品

专利择要显示，本申请供应了多模式薄膜传感器的晶圆级集成方法及电子产品。
该多模式薄膜传感器的晶圆级集成方法包括：供应晶圆(1)，在所述晶圆(1)上制备介质层(2)；在所述晶圆(1)上制备硅通孔(11)，在所述硅通孔(11)中添补导电介质；在所述晶圆(1)的未设置所述介质层(2)的一壁设置背面绝缘层(3)；以及在所述晶圆(1)的设置有介质层(2)的一壁设置多个类型不同的敏感薄膜(7)和多个外接电极，多个所述外接电极通过所述硅通孔(11)在所述晶圆(1)的未设置所述介质层(2)的一壁互联。
该电子产品包括通过上述方法制造出的多模式薄膜传感器。

本文源自金融界