速看！这些龙腾高机能功率器件蔚来都在用

龙腾半导体LSH70R1KGT是一颗耐压700V，连续泄电流4A，导阻为1Ω的超结MOS，具备超低栅极电荷。
这款器件100%通过UIS测试，符合RoHS规范，无铅无卤素，适宜LED、适配器、PD充电器等场景运用。

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龙腾半导体LSD55R140GF是一颗耐压550V，导阻为140mΩ的超结MOS，具备低栅极电荷特性。
这款器件100%通过UIS测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，适宜PFC功率因数校正、开关电源、UPS等场景运用。

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龙腾半导体LSD65R180GF是一颗最大耐压700V，连续泄电流20A，导阻为0.18Ω的高压超结MOS，特殊适用于追求高效的场景运用。
此外，这款器件100% 通过UIS测试并符合RoHS规范，适宜LED、适配器、PD充电器、开关电源等场景运用。

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龙腾半导体LSNC65R180GT是一颗最大耐压700V，连续泄电流60A，导阻为0.18Ω的高压超结MOS，具备超低栅极电荷。
这款器件100%通过UIS测试，符合RoHS无铅无卤素规范。
选用这款器件可以有效提升整机效率，适用于PFC功率因数校正、LED、适配器、PD充电器、开关电源等场景运用。

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龙腾半导体LSNC65R180HT是一颗最大耐压700V，连续泄电流60A的高压超结MOS，导阻为0.18Ω，特殊适宜追求高功率密度、高效率的场景运用。
这款器件100%通过UIS测试，符合RoHS规范。
适用于PFC功率因数校正、LED、适配器、PD充电器、开关电源等场景运用。

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这三款器件均为高压超结MOS，最大耐压700V，导阻为0.38Ω；采取龙腾半导体SJ L4品台技能，提升EAS能力，具有极低的栅极电荷，有效降落FOM值，优化开关速率，更随意马虎通过EMI测试，特殊适宜LED、适配器、PD充电头等产品利用。

此外，这几款器件，100%通过UIS测试，符合RoHS无铅无卤素规范，供应TO-263、TO-252、TO-220、TO-220MF以及DFN88多种封装形式。

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龙腾半导体LSGN06R036HWB是一颗耐压60V，连续泄电流83A，DFN56封装的SGT MOS，采取龙腾半导体SGT技能优化，导阻低至3.6mΩ，并能承受高能量脉冲，非常适宜作为高频开关。
这款器件可以在同步整流、同步buck、同步boost电路上运用。

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龙腾半导体LSGN10R080是一颗耐压100V，连续泄电流83A，导阻8mΩ的SGT MOS，这款MOS管采取龙腾半导体SGT技能，可最大限度地减小导通电阻，供应卓越的开关性能，并能在雪崩和瞬态放电过程中承受更高能量脉冲，非常适宜高频开关运用。
这款器件可以在同步整流、同步buck、同步boost电路上运用。

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龙腾半导体LSGN06R036WB是一颗耐压60V，连续泄电流83A，导阻为3.6mΩ，DFN56封装的SGT MOS。
这款MOS管采取龙腾半导体SGT技能，开关性能卓越，能够承受更高的能量脉冲。
此外，这款器件可以在同步整流、同步buck、同步boost电路上运用。

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龙腾半导体LSGC15R085W3是一颗耐压150V，连续泄电流120A的VDMOS，导阻为7mΩ，这款MOS管采取龙腾半导体SGT 技能，优化Coss和Rdson，更大程度的降落开关损耗和导通损耗，降落温升，支持高开关频率，100%通过雪崩测试，器件无铅无卤素，适用于电机驱动、电池管理和适配器/充电器等场景运用。

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充电头网理解到，龙腾半导体是海内少有的同时布局超结MOSFET、高压平面MOSFET、中低压沟槽MOSFET、中低压SGT MOSFET、IGBT、快规复二极管的半导体IDM厂商，经历14年的研发进程，龙腾半导体从低压到高压产品线十分完善，知足厂商的多元化需求，可以广泛运用于快充、汽车、工控的领域。

龙腾半导体株式会社参加充电头网主理的2024（春季）亚洲充电展，展位在B区B01、02，3月20-22日欢迎到临展会现场互换、洽谈。